挑战台积电 CoWoS：蒲得宇称英特尔 EMIB 技术良率达 90%
阅读原文· ithome.com广发证券分析师蒲得宇发布研报指出，英特尔代工业务取得关键突破，其2.5D先进封装技术EMIB良率达到90%，已为AI数据中心芯片做好准备。该技术良率与FCBGA相当，但互连密度更高。其高性能版本EMIB-T集成了TSV，当前已支持大于8倍光罩尺寸，能在封装内容纳12个HBM芯片和超过20个桥接。英特尔计划到2028年将EMIB-T扩展至大于12倍光罩尺寸，以容纳超过24个HBM裸片和38个以上桥接，进一步提升封装能力。
IT之家 5 月 1 日消息，广发证券分析师蒲得宇（Jeff Pu）昨日（4 月 30 日）在 X 平台发布研报，指出英特尔代工业务取得关键突破，其 EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术良率达 90%，证明该技术已为 AI 数据中心芯片做好准备。
IT之家注：EMIB 是英特尔推出的 2.5D 先进封装技术，通过在基板中嵌入硅桥，实现多个裸片间的高带宽互连，提供比传统封装更低的功耗和成本，是目前挑战台积电 CoWoS 技术的核心方案。
蒲得宇指出最新数据显示，EMIB 良率已与 FCBGA（倒装芯片球栅阵列）相当，但提供了更高的裸片间互连密度。
技术层面，当前存在 EMIB-M 与 EMIB-T 两个关键版本。EMIB-M 专为能效设计，在硅桥中集成了 MIM（金属-绝缘体-金属）电容器，通过降低噪声增强供电完整性，电力需绕过桥接路由。而 EMIB-T 专为高性能 AI 芯片打造，集成了 TSV，允许电力直接穿过桥接路由，大幅提升扩展密度。
在扩展性方面，EMIB-T 当前已支持 > 8xReticle 尺寸，在 120x120 封装内容纳 12 个 HBM 芯片、4 个密集小芯片及超过 20 个 EMIB-T 连接。展望 2028 年，英特尔计划将 EMIB-T 扩展至 > 12xReticle 尺寸，在 > 120x180 封装内容纳超过 24 个 HBM 裸片和 38 个以上 EMIB-T 桥接。