美光 CEO 称 AI 仍处于"早期阶段"，DRAM 内存和 NAND 闪存供应持续吃紧
阅读原文· ithome.com美光科技CEO桑杰・梅赫罗特拉表示，当前AI浪潮仍处早期阶段，推理应用扩大导致对高速、大容量存储需求激增。目前DRAM和NAND闪存供应持续紧张且产能提升困难，预计今年AI对这两类存储的需求将超过行业总市场规模的一半。美光正为英伟达新平台供应HBM4样品，并计划明年量产HBM4E。尽管企业需求旺盛，但受供应限制和价格上涨影响，消费电子市场的PC和移动设备销量可能出现低双位数下滑。公司预计第三财季将再次刷新业绩纪录。
IT之家 5 月 3 日消息，存储巨头美光科技（Micron）第二财季创下了营收、毛利率、每股收益和自由现金流的多项纪录。
美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在接受 CNBC 采访时指出，当前的 AI 浪潮仅处于“早期阶段”，随着 AI 智能体的崛起，更高速、更大容量的存储已成为支撑 AI 发挥全部能力的战略资产。
他表示，随着推理端迎来拐点，Token 生成需求的扩大对内存速度和容量提出了极高要求。然而目前存储行业正面临供应极其紧张的局面，且产能提升并非易事。
AI 确实处在非常早期的阶段，你们刚刚在 GTC 大会上已经看到了 AI 领域有多么大的进步。内存是一项战略资产，为了让 AI 能够发挥其全部能力，你需要更多的内存、需要性能更快的内存。这是一个推理的拐点。随着推理应用的扩大，对 Token 的需求会随之提升，而这些 Token 需要高速处理，这就需要更多的内存、需要更快的内存，才能释放内存的全部潜力。
他还指出，问题不在于需求或定价，而在于供应商根本无法解决的产能问题，且展望未来，情况也不会有所好转。“目前内存供应非常紧张，而且供应无法轻易跟上，这些都能在我们的业绩中看到。”
美光预测，AI 对 DRAM 和 NAND 的需求预计将在今年超过行业总市场规模（TAM）的 50%。
在技术进展方面，美光正积极应对 GPU 领域对 HBM 标准的迭代需求。公司正为英伟达的 Vera Rubin 平台供应 HBM4 36GB（12 层堆叠）DRAM 样品，并预计其现有 HBM3 工艺的良率将趋于成熟，下一代 HBM4E 内存则计划于明年量产。