华为自研 DoB 封装技术，绕过先进制程造出百TB级 SSD
阅读原文· ithome.com华为在巴黎展示了基于自研Die-on-Board封装技术的大容量SSD。该技术将更多NAND裸片直接封装在电路板上，最高实现36层堆叠，突破了传统封装最多16层的限制，从而绕开了对400层以上先进制程NAND芯片的依赖。华为已量产61.44TB和122.88TB型号，并计划推出245TB版本。这些产品已应用于OceanStor Pacific 9926存储系统，在2U机箱中可提供4.42PB原始容量，压缩后有效容量达11PB。
IT之家 5 月 24 日消息，据 Blocks & Files 报道，华为于 5 月 20 日至 21 日在巴黎举行的 ID Forum 2026 活动上展示了基于自研 Die-on-Board（板上裸片封装，DoB）封装技术的大容量 SSD 系列。
其中一款面向 AI 推理和数据中心的全新 SSD 提供 61.44TB 与 122.88TB 两种容量，而且华为未来还计划推出 245TB 版本。
IT之家此前报道，华为在去年 8 月发布了三款全新 AI SSD 产品，其中 LC560 就曾承诺推出最大 245TB 的容量。
华为使用自主研发的 DoB 封装技术，将更多 NAND Die 直接封装在 PCB 电路板上，从而绕开传统 TSOP 或 BGA 封装对芯片数量的限制，提供更高的密度和更好的性能。
目前三星等原厂已经推出 400 层以上的 3D NAND 产品，但相关芯片涉及美国技术，所以无法向华为供应最新 NAND 芯片。因此，华为选择通过封装层面的创新提升容量密度。
传统主流 SSD 供应商（如三星、铠侠、闪迪、美光等）通常采用多芯片堆叠在 TSOP 或 BGA 封装内部，然后再焊接到 PCB 上。传统 TSOP / BGA 封装受限于封装体的固定物理尺寸，最多只能实现 16 层裸片堆叠，而 DoB 技术最高可实现 36 层堆叠，突破了这一物理限制。
相比于 TSOP 或 BGA 封装，华为的 DoB 方案不仅提升了容量密度，还因省去了若干昂贵的封装步骤，从而更具成本效益。
在 2026 巴黎活动期间，华为展示了多款高容量 SSD 产品，包括已经量产的 61.44TB 和 122.88TB 型号，以及未来规划中的 245TB 版本。另外，展区中的 OceanDisk 1800 Smart Disk Enclosure 宣传资料显示，该 2U 机箱可实现 1.47PB 容量，并标注采用“基于 DoB 堆叠技术的大容量 SSD”。另一台 OceanDisk 1610 展示设备则标称可在 2RU 空间内搭载 36 块 61.44TB SSD，总容量达到 2.2PB。