SK海力士向主要客户供应12层HBM4E样品，面向AI的下一代超高性能DRAM
阅读原文· ithome.comSK海力士今日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品。该产品是面向AI的下一代超高性能DRAM，较HBM4引脚速率最高达16Gbps，能效提高20%以上，热阻降低约17%。采用先进MR-MUF工艺，12层堆叠实现48GB容量，并降低数据传输延迟，旨在提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。
IT之家 6 月 18 日消息，SK 海力士今日宣布，公司已向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能 DRAM。
SK 海力士表示：“凭借长期以来积累的 HBM 先导开发能力和量产经验，公司成功向客户提供 12 层 HBM4E 样品。我们将与主要客户紧密协作，致力于确保按时量产。”
据官方介绍，此次新产品较上一代 HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达 16Gbps，并将能效提高 20% 以上，显著提升了 AI 训练和推理所必需的数据处理能力。
此外，HBM4E 通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。公司预计，这将能进一步提升下一代 AI 数据中心和大规模计算系统的处理效率。
据IT之家了解，SK 海力士在 HBM4E 产品采用了先进（Advanced）MR-MUF 工艺，通过 12 层堆叠实现 48GB 容量的同时，进一步提高了结构稳定性。与 HBM4 相比，其热阻降低了约 17%，确保了在高性能计算环境中的稳定运行。
SK 海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长表示：“我们将把迄今为止所积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至 HBM4E 产品，夯实持续引领 AI 创新的基础。公司将通过与合作伙伴的紧密协作，以前瞻性布局实现市场所需价值，进一步巩固作为‘全方位面向 AI 的存储器创造者’的技术领导地位。”