# 最高速度可达 32 GT/s：英特尔公布 XBM 内存专利，挑战 HBM 4

- 来源：IT之家（RSS）
- 发布时间：2026-07-07 15:56
- AIHOT 分数：56
- AIHOT 链接：https://aihot.virxact.com/items/cmradidnl01hdihl31gqu65ti
- 原文链接：https://www.ithome.com/0/973/608.htm

## AI 摘要

英特尔公布一项名为 XBM（eXtended Bandwidth Memory）的超高带宽内存专利，定位 HBM 4 替代方案。XBM 采用后段晶体管（BEOL）设计，将晶体管移至后端金属互连层，提升面积利用率和 TSV 密度，运行速度最高达 32 GT/s，每颗芯片容量在 0.5GB-5GB 之间，封装尺寸与 HBM 4 保持一致。该技术预计 2030 年之后商业化。

## 正文

IT之家 7 月 7 日消息，据科技媒体 Wccftech 今天报道，英特尔现已公布一项 XBM（eXtended Bandwidth Memory，超高带宽内存）的专利技术。据悉，这项技术定位 HBM 4 替代方案，有望提供更高带宽。

据报道，HBM（高带宽内存）目前仍是 AI 服务器的主流内存标准。但从这两年开始，为了缓解供应短缺、功耗等问题，也有企业选择将 LPDDR 内存应用在 AI 产品中。

英特尔曾在过去研发 HMC（混合内存立方体）、MCDRAM（多通道动态随机访问内存）等技术，但由于种种原因未能实现商业化。

如今随着 XBM 出世，英特尔正在重新调整其 DRAM 策略。结合此前公布的 ZAM（Z 角内存）技术，我们不难看出英特尔试图重返 DRAM 市场。

据专利文件所述，XBM 内存采用后段晶体管设计，拥有封装基板、可选基础 Die 以及堆叠式存储芯片。每层存储芯片均采用 1T1C（一个晶体管、一个电容）的结构，通过将晶体管移至 BEOL（Back-End-Of-Line，后端金属互连层），可提高面积利用率、提升 TSV（硅通孔）密度，相比传统前端晶体管 DRAM 带宽提升显著。

同时，XBM 将采用 Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，其封装尺寸将与 HBM 4 保持一致，每颗芯片的容量可在 0.5GB-5GB 之间，运行速度最高可达 32 GT/s。

此外，这项技术的商业化时间预计将在 2030 年之后，相比 HBM 有望实现更高的带宽与容量