IT之家 4 月 30 日消息，三星电子今日发布了 2026 财年第一财季财报，公司存储业务负责人 Kim Jaejune 警示，各类存储芯片的严重短缺局面至少将持续至 2027 年。据《南华早报》报道，由于各大客户争相锁定未来供货，当前产品履约率已跌至历史低位。这一预警与仅一周前竞争对手 SK 海力士在财报电话会议上的表态高度一致。

三星、SK 海力士与美国美光科技三家企业合计掌控全球超 90% 的 DRAM 内存市场。全球三大存储芯片供应商中，有两家同时预警长达数年的供货短缺，市场产生担忧实属情理之中。

此次芯片短缺主要由人工智能基础设施建设需求拉动。现代人工智能系统需要海量高速内存，持续为图形处理器与加速芯片输送数据。需求激增的核心焦点是高带宽内存（HBM），这是一种垂直堆叠架构的 DRAM 产品，可在贴近处理器的物理布局下实现超高数据带宽。

高带宽内存已成为 AI 加速芯片的核心配套器件。但该产品制造难度大、成本高昂，需要先进的晶圆堆叠、精密键合以及高端封装工艺。这也导致其产能受限，市场需求增速远超厂商的产能扩建速度。

尽管短缺主要由高带宽内存需求引发，但其影响正开始蔓延至整个存储市场。由于高带宽内存本身属于 DRAM 品类，各大厂商正持续将产能、研发人力及资金转向利润更高的 AI 专用存储产品。产业资源倾斜，或将进一步收紧服务器、个人电脑、移动设备所用普通 DRAM 的供给。同时，AI 数据中心在算力硬件之外还需大规模存储基建，企业级固态硬盘的市场需求也随之攀升。

业内一边面临存储短缺，一边又在积极研发替代方案，因为现有存储架构的功耗居高不下。此前已有报道，行业正着力开发 3D X-DRAM、ZAM 等下一代存储技术，旨在降低功耗、突破制程扩容瓶颈。